PECVD

产物特色 1.成熟的高产能工艺、双模温度节制手艺、薄膜硅掩护手艺；
2.石墨舟电极手艺：前电极面打仗，可按期改换洗濯电极块，尾电极炉管外可调，加大电极尺寸及优化电极资料，杰出处置高频报警题目；
3.疾速降温炉体：最新专利手艺使炉体温度疾速降到所需温度，降温速度晋升25%以上，较着晋升炉管内温度平均性；
4.专利储舟位并行散热体例：晋升降温结果，延长降温时候15%以上，同时避开底部从操纵台后面进气，进步操纵台外部干净度；
5.疾速自顺应压力闭环节制手艺；
6.等离子放电场检测手艺；
7.装卸片防撞舟手艺；
8.一体化工控机+模块化工艺节制软件；
9.周全的停电宁静处置和法兰水非常掩护。

产物操纵

在硅片外表淀积一层厚度约为75-140nm的减反射氮化硅膜(SixNy)，同时操纵在淀积进程中发生的活性H+离子，对硅片外表和外部停止钝化处置。在表现削减光反射的同时，也进步了硅片的少子寿命，终究间接表现在晶体硅电池的转换效力，首要用在PERC/TOPCon电池正反面氮化硅膜成长。

产物参数

名目	手艺目标
成膜品种	AlO,SiO,SiON,SiN,SiC
装片量	768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm)
氧化铝膜厚平均性	片内≤6%片间≤6%批间≤5%(182片)
氧化铝折射率	1.65(±0.05)
UP-TIME	≥98%
任务温度规模	100~600℃
温度节制	9点控温，表里双模节制
升温体例	主动斜率升温及疾速恒温功效
降温体例	最新专利手艺，9温辨别段节制主动降温炉体
恒温区精度及长度	±2°C/3200mm(500°C)
单点温度不变度	<±1°C/4h(500°C)
升温时候	RT→450℃≤45min
温度节制	双模切确节制
体系极限真空度	<3Pa
体系漏气率	停泵关阀后压力升率<1Pa/min
压力节制体例	疾速调剂全主动闭环
工艺节制体例	工艺进程全主动节制，多重宁静连锁报警
人机交互界面	LCD显现、触摸操纵、工艺编辑、在线监控、权限办理、班组办理、组网功效
MES/CCRM	具备